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NTTFS4823N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1600
1400
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
QT
1200
1000
8
800
C iss
6
V GS
600
4
Q gs
Q gd
400
200
0
0
C oss
C rss
5
10
15
20
25
30
2
0
0
2
4
6
8
10
12
I D = 20 A
T J = 25 ° C
14
16
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
20
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
15
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
5
1
1
10
100
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
40
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 25 A
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
30
20
1
V GS = 20 V
Single Pulse
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
10
0.01
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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